Name: AG096FPD3HRBTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG096FPD3HRBTLTR-ND
Price: 76.62 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 59A (Tc) 76W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

AG096FPD3HRBTL
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	846-AG096FPD3HRBTLTR-ND - เทปและม้วน (TR) 846-AG096FPD3HRBTLCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 846-AG096FPD3HRBTLDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	AG096FPD3HRBTL
คำอธิบาย	NCH 100V 59A, TO-252 (DPAK), POW
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 59A (Tc) 76W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	59A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	15.8mOhm @ 59A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 2.9mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	17.3 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1110 pF @ 50 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	76W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63