Name: AG142FGS4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG142FGS4FRATCBTR-ND
Price: 80.5 THB
Availability: InStock

ใหม่จาก DigiKey

N-ช่องสัญญาณ 40 V 120A (Tc) 75W (Tc) ติดบนพื้นผิว HPLF5060T5LSAH

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

AG142FGS4FRATCB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	846-AG142FGS4FRATCBTR-ND - เทปและม้วน (TR) 846-AG142FGS4FRATCBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 846-AG142FGS4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	AG142FGS4FRATCB
คำอธิบาย	NCH 40V 120A, HPLF5060T5LSAH, PO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 120A (Tc) 75W (Tc) ติดบนพื้นผิว HPLF5060T5LSAH
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	120A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	6V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 408µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1260 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	75W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	HPLF5060T5LSAH
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-100, SOT-669