BSM120D12P2C005
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
BSM120D12P2C005
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM080D12P2C008

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
BSM080D12P2C008-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
BSM080D12P2C008
คำอธิบาย
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
22 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
mosfet อาร์เรย์ 1200V (1.2kV) 80A (Tc) 600W ติดตั้งบนแชสซี โมดูล
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
BSM080D12P2C008 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
ผู้ผลิต
Rohm Semiconductor
ชุด
-
บรรจุภัณฑ์
ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
เทคโนโลยี
ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC)
การตั้งค่า
2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติของ FET
-
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1200V (1.2kV)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 13.2mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
800pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด
600W
อุณหภูมิในการทำงาน
175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ / เคส
โมดูล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
โมดูล
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

ในสต็อก: 9
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ถาด
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿10,359.05000฿10,359.05
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน