BSM180C12P2E202
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
BSM180C12P2E202
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180C12P2E202

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
BSM180C12P2E202-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
BSM180C12P2E202
คำอธิบาย
SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
22 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 1200 V 204A (Tc) 1360W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี โมดูล
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
BSM180C12P2E202 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
-
บรรจุภัณฑ์
ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
-
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 35.2mA
Vgs (สูงสุด)
+22V, -6V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
20000 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
1360W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
175°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
โมดูล
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

0 ในสต็อก
ตรวจสอบเวลาส่งสินค้า
ขอให้แจ้งสถานะสต็อค
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ถาด
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿19,879.60000฿19,879.60
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน