mosfet อาร์เรย์ 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W ติดบนพื้นผิว โมดูล
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
mosfet อาร์เรย์ 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W ติดบนพื้นผิว โมดูล
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM180D12P3C007

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
BSM180D12P3C007-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
BSM180D12P3C007
คำอธิบาย
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต
27 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
mosfet อาร์เรย์ 1200V (1.2kV) 180A (Tc) 880W ติดบนพื้นผิว โมดูล
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
BSM180D12P3C007 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน
แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า
หมวดหมู่
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
5.6V @ 50mA
ผู้ผลิต
Rohm Semiconductor
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
900pF @ 10V
บรรจุภัณฑ์
จำนวนมาก
พลังงาน - สูงสุด
880W
สถานะผลิตภัณฑ์
ทำงาน
อุณหภูมิในการทำงาน
175°C (TJ)
เทคโนโลยี
ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC)
ประเภทการติดตั้ง
ติดบนพื้นผิว
การตั้งค่า
2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
บรรจุภัณฑ์ / เคส
โมดูล
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1200V (1.2kV)
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
โมดูล
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
180A (Tc)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์
แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม
ในสต็อก: 13
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
เมื่อสต็อกที่มีอยู่ของสินค้านี้หมดลง จะใช้บรรจุภัณฑ์และระยะเวลารอคอยมาตรฐานของผู้ผลิต
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
จำนวนมาก
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿18,210.20000฿18,210.20