BSM400C12P3G202
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
BSM400C12P3G202
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

BSM400C12P3G202

หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey
BSM400C12P3G202-ND
ผู้ผลิต
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต
BSM400C12P3G202
คำอธิบาย
SICFET N-CH 1200V 400A MODULE
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด
N-ช่องสัญญาณ 1200 V 400A (Tc) 1570W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี โมดูล
เอกสารข้อมูล
 เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD
BSM400C12P3G202 รุ่น
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท
คำอธิบาย
เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่
Mfr
ชุด
-
บรรจุภัณฑ์
ถาด
สถานะผลิตภัณฑ์
ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่
ประเภท FET
เทคโนโลยี
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)
1200 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)
-
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id
5.6V @ 106.8mA
Vgs (สูงสุด)
+22V, -4V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
17000 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET
-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)
1570W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
175°C (TJ)
เกรด
-
คุณสมบัติ
-
ประเภทการติดตั้ง
ติดตั้งบนแชสซี
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์
โมดูล
บรรจุภัณฑ์ / เคส
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน
คำถามและคำตอบเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์

ดูว่าวิศวกรคนอื่นกำลังถามอะไร ถามคำถามของคุณเอง หรือช่วยตอบคำถามให้กับสมาชิกในชุมชนวิศวกรรมของ DigiKey

ในสต็อก: 4
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
ไม่แนะนำสำหรับการออกแบบใหม่ อาจต้องสั่งตามจำนวนขั้นต่ำ
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
ถาด
จำนวน ราคาต่อหน่วย ต่อราคา
1฿31,049.53000฿31,049.53
หมายเหตุ: เนื่องจากบริการเพิ่มมูลค่าของ DigiKey ประเภทของบรรจุภัณฑ์อาจมีการเปลี่ยนแปลงเมื่อซื้อสินค้าในปริมาณที่ต่ำกว่าแพ็คเกจมาตรฐาน