GNP1070TC-ZE2 Rohm Semiconductor | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

GNP1070TC-ZE2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	846-GNP1070TC-ZE2TR-ND - เทปและม้วน (TR) 846-GNP1070TC-ZE2CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 846-GNP1070TC-ZE2DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	GNP1070TC-ZE2
คำอธิบาย	ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 20A (Tc) 56W (Tc) ติดบนพื้นผิว DFN8080K
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	GaNFET (แกลเลียมไนไตรด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	650 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	5V, 5.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	98mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.4V @ 18mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	5.2 nC @ 6 V
Vgs (สูงสุด)	+6V, -10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	200 pF @ 400 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	56W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DFN8080K
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	GNP1070