R6020ENZ1C9 Rohm Semiconductor | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

R6020ENZ1C9
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	R6020ENZ1C9-ND
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	R6020ENZ1C9
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 20A TO247
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 20A (Tc) 120W (Tc) ทรูโฮล TO-247
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	R6020ENZ1C9 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	196mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1400 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	120W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-247
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-247-3