Name: RD3P200SNFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RD3P200SNFRATLTR-ND
Price: 127.06 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 20A (Ta) 20W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RD3P200SNFRATL
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RD3P200SNFRATLTR-ND - เทปและม้วน (TR) RD3P200SNFRATLCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RD3P200SNFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RD3P200SNFRATL
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 20A TO252
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 20A (Ta) 20W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-252
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RD3P200SNFRATL รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	46mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2100 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	20W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RD3P200