Name: RH6R040CHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6R040CHTB1TR-ND
Price: 73.07 THB
Availability: InStock

ใหม่จาก DigiKey

N-ช่องสัญญาณ 150 V 40A (Tc) 2.4W (Ta), 93W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RH6R040CHTB1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	846-RH6R040CHTB1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 846-RH6R040CHTB1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 846-RH6R040CHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RH6R040CHTB1
คำอธิบาย	NCH 150V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 150 V 40A (Tc) 2.4W (Ta), 93W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	150 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	40A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	8V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	38mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 372µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	700 pF @ 75 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2.4W (Ta), 93W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-HSMT (3.2x3)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN