Name: RQ3E075ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E075ATTBTR-ND
Price: 61.1 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RQ3E075ATTB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RQ3E075ATTBTR-ND - เทปและม้วน (TR) RQ3E075ATTBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RQ3E075ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RQ3E075ATTB
คำอธิบาย	MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RQ3E075ATTB รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 10.4 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 930 pF @ 15 V
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 15W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 18A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-HSMT (3.2x3)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.5A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน RQ3E075

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
DMP3008SFGQ-13	Diodes Incorporated	1,650	DMP3008SFGQ-13DICT-ND	฿62.72000	Similar
DMP3036SFG-7	Diodes Incorporated	3,736	DMP3036SFG-7DICT-ND	฿34.27000	Similar
DMP3036SFV-7	Diodes Incorporated	2,753	31-DMP3036SFV-7CT-ND	฿32.01000	Similar