Name: RQ3E110AJTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E110AJTBTR-ND
Price: 37.18 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RQ3E110AJTB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RQ3E110AJTBTR-ND - เทปและม้วน (TR) RQ3E110AJTBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RQ3E110AJTBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RQ3E110AJTB
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 11A/24A 8HSMT
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 11A (Ta), 24A (Tc) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RQ3E110AJTB รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	11A (Ta), 24A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	2.5V, 4.5V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	11.7mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13.5 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±12V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1500 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-HSMT (3.2x3)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RQ3E110