Name: RQ3L070ATTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070ATTBTR-ND
Price: 69.83 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 60 V 25A (Tc) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RQ3L070ATTB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	846-RQ3L070ATTBTR-ND - เทปและม้วน (TR) 846-RQ3L070ATTBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 846-RQ3L070ATTBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RQ3L070ATTB
คำอธิบาย	PCH -60V -25A, HSMT8, POWER MOSF
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 25A (Tc) 2W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-HSMT (3.2x3)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RQ3L070ATTB รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 48 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2850 pF @ 30 V
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2W (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 25A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-HSMT (3.2x3)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน RQ3L070