Name: RS1E200BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200BNTBTR-ND
Price: 10.24396 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- My Lists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
ขอใบเสนอราคา

RS1E200BNTB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RS1E200BNTBTR-ND - เทปและม้วน (TR) RS1E200BNTBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RS1E200BNTB
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSOP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RS1E200BNTB รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	20A (Ta), 68A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	59 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	3100 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	3W (Ta), 25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-HSOP
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RS1E

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
2,500	฿10.24396	฿25,609.90
5,000	฿9.46028	฿47,301.40
7,500	฿9.06093	฿67,956.98
12,500	฿8.61240	฿107,655.00
17,500	฿8.56745	฿149,930.37

RS1E200BNTB

ข้อมูล

ช่วยเหลือ

ติดต่อเรา

ติดตามเรา