RS1L145GNTB Rohm Semiconductor | FET เดี่ยว, MOSFET

N-ช่องสัญญาณ 60 V 14.5A (Ta), 47A (Tc) 3W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-HSOP

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RS1L145GNTB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RS1L145GNTBTR-ND - เทปและม้วน (TR) RS1L145GNTBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RS1L145GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RS1L145GNTB
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 14.5A/47A 8HSOP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 14.5A (Ta), 47A (Tc) 3W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-HSOP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.7V @ 200µA
Mfr Rohm Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 37 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ เลิกผลิต	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1880 pF @ 30 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3W (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 14.5A (Ta), 47A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-HSOP
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 14.5A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน RS1L

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
RS6L090BGTB1	Rohm Semiconductor	637	846-RS6L090BGTB1CT-ND	฿102.53000	MFR ที่แนะนำ
BSZ099N06LS5ATMA1	Infineon Technologies	2,893	448-BSZ099N06LS5ATMA1CT-ND	฿55.66000	Similar
DMT6010LPS-13	Diodes Incorporated	2,398	DMT6010LPS-13DICT-ND	฿53.71000	Similar