Name: RS3E135BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E135BNGZETBTR-ND
Price: 55.99 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RS3E135BNGZETB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RS3E135BNGZETBTR-ND - เทปและม้วน (TR) RS3E135BNGZETBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RS3E135BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RS3E135BNGZETB
คำอธิบาย	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RS3E135BNGZETB รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 8.3 nC @ 4.5 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 680 pF @ 15 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 2W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9.5A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOP
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 9.5A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน RS3E

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (2)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
RS3E095BNGZETB	Rohm Semiconductor	2,446	RS3E095BNGZETBCT-ND	฿48.17000	เทียบเท่าพาราเมตริก
FDS8878	onsemi	4,992	FDS8878CT-ND	฿29.95000	Similar