Name: RS3E135BNGZETB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E135BNGZETBTR-ND
Price: 55.61 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RS3E135BNGZETB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RS3E135BNGZETBTR-ND - เทปและม้วน (TR) RS3E135BNGZETBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RS3E135BNGZETBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RS3E135BNGZETB
คำอธิบาย	MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 9.5A (Ta) 2W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RS3E135BNGZETB รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	9.5A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	14.6mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	8.3 nC @ 4.5 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	680 pF @ 15 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	2W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SOP
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RS3E