Name: RS3E180ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS3E180ATTB1TR-ND
Price: 119.3 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 30 V 18A (Ta) 1.4W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOP

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RS3E180ATTB1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RS3E180ATTB1TR-ND - เทปและม้วน (TR) RS3E180ATTB1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) RS3E180ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RS3E180ATTB1
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 30V 18A 8SOP
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 30 V 18A (Ta) 1.4W (Ta) ติดบนพื้นผิว 8-SOP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RS3E180ATTB1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 5mA
Mfr Rohm Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 160 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7200 pF @ 15 V
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 1.4W (Ta)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 18A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOP
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90mm)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 18A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน RS3E