Name: RS6L090BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS6L090BGTB1TR-ND
Price: 101.84 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSOP

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RS6L090BGTB1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	846-RS6L090BGTB1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 846-RS6L090BGTB1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 846-RS6L090BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RS6L090BGTB1
คำอธิบาย	NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-HSOP
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RS6L090BGTB1 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 28 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1950 pF @ 30 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3W (Ta), 73W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 90A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-HSOP
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 90A, 10V