Name: RS7P200BMTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RS7P200BMTB1TR-ND
Price: 174.79 THB
Availability: OutOfStock

ใหม่จาก DigiKey

N-ช่องสัญญาณ 100 V 200A (Tc) 3.6W (Ta), 217W (Tc) ติดบนพื้นผิว DFN5060-8S

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RS7P200BMTB1
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	846-RS7P200BMTB1TR-ND - เทปและม้วน (TR) 846-RS7P200BMTB1CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 846-RS7P200BMTB1DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RS7P200BMTB1
คำอธิบาย	NCH 100V 200A, DFN5060-8S, WIDE-
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 200A (Tc) 3.6W (Ta), 217W (Tc) ติดบนพื้นผิว DFN5060-8S
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 1mA
Mfr Rohm Semiconductor	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 105 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7800 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 3.6W (Ta), 217W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C (TJ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 200A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DFN5060-8S
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V