Name: RSR025N03TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSR025N03TLTR-ND
Price: 32.01 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว TSMT3

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

RSR025N03TL
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	RSR025N03TLTR-ND - เทปและม้วน (TR) RSR025N03TLCT-ND - เทปตัดขาย (CT) RSR025N03TLDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	RSR025N03TL
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 2.5A (Ta) 1W (Ta) ติดบนพื้นผิว TSMT3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	RSR025N03TL รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ไม่สามารถใช้ได้สำหรับการออกแบบใหม่
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	30 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	70mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	4.1 nC @ 5 V
Vgs (สูงสุด)	20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	165 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TSMT3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SC-96
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	RSR025