SCT2H12NYTB Rohm Semiconductor | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SCT2H12NYTB
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SCT2H12NYTBTR-ND - เทปและม้วน (TR) SCT2H12NYTBCT-ND - เทปตัดขาย (CT) SCT2H12NYTBDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Rohm Semiconductor
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SCT2H12NYTB
คำอธิบาย	SICFET N-CH 1700V 4A TO268
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-268
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SCT2H12NYTB รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Rohm Semiconductor
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1700 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	4A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	18V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 410µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (สูงสุด)	+22V, -6V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	184 pF @ 800 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	44W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-268
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-268-3, D3PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-268AA
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SCT2H12