การตั้งค่า
จัดส่งที่รวดเร็ว
จัดส่งฟรี
Incoterms
ประเภทการชำระเงิน
ผลิตภัณฑ์ตลาดออนไลน์
ใหม่จาก DigiKey
ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์
GCMX008B120B3H1P | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 1560-GCMX008B120B3H1P-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | GCMX008B120B3H1P |
คำอธิบาย | GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 6 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | mosfet อาร์เรย์ 1200V (1.2kV) 120A (Tc) 500W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
ผู้ผลิต | SemiQ | |
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | กล่อง | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
เทคโนโลยี | ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) | |
การตั้งค่า | 4 N-ช่องสัญญาณ (ฟูลบริดจ์) | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 100A, 18V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 120mA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 493nC @ 18V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 14400pF @ 800V | |
พลังงาน - สูงสุด | 500W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดตั้งบนแชสซี | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | โมดูล | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | - |
ในสต็อก: 10
ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม
จำนวน
ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB
กล่อง
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1 | ฿2,708.93000 | ฿2,708.93 |
| 10 | ฿2,161.64800 | ฿21,616.48 |
ไทย