
GCMX010A120B3H1P | |
|---|---|
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey | 1560-GCMX010A120B3H1P-ND |
ผู้ผลิต | |
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต | GCMX010A120B3H1P |
คำอธิบาย | 1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG |
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต | 22 สัปดาห์ |
การอ้างอิงของลูกค้า | |
คำอธิบายโดยละเอียด | mosfet อาร์เรย์ 1200V (1.2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) ติดตั้งบนแชสซี |
เอกสารข้อมูล | เอกสารข้อมูล |
ประเภท | คำอธิบาย | เลือกทั้งหมด |
|---|---|---|
หมวดหมู่ | ||
ผู้ผลิต | SemiQ | |
ชุด | ||
บรรจุภัณฑ์ | กล่อง | |
สถานะผลิตภัณฑ์ | ทำงาน | |
เทคโนโลยี | ซิลิกอนคาร์ไบด์ (SiC) | |
การตั้งค่า | 4 N-ช่องสัญญาณ (ฟูลบริดจ์) | |
คุณสมบัติของ FET | - | |
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 201A (Tc) | |
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V | |
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id | 4V @ 40mA | |
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 428nC @ 20V | |
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 10900pF @ 800V | |
พลังงาน - สูงสุด | 600W (Tc) | |
อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
เกรด | - | |
คุณสมบัติ | - | |
ประเภทการติดตั้ง | ติดตั้งบนแชสซี | |
บรรจุภัณฑ์ / เคส | โมดูล | |
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ | - |
| จำนวน | ราคาต่อหน่วย | ต่อราคา |
|---|---|---|
| 1 | ฿4,415.78000 | ฿4,415.78 |
| 10 | ฿3,867.50000 | ฿38,675.00 |






