GP2D010A120C SemiQ | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว
Mfr	SemiQ
ชุด	Amp+™
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ดำเนินการต่อที่ DigiKey
เทคโนโลยี	SiC (Silicon Carbide) Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด)	1200 V
กระแสไฟฟ้า - เรียงโดยเฉลี่ย (Io)	10A
แรงดันไฟฟ้า - แรงดันตรง (Vf) (สูงสุด) ที่ If	1.8 V @ 10 A
ความเร็ว	Zero Recovery Time > 500mA (Io)
เวลาการกลับคืนสภาพ (trr)	0 ns
กระแสไฟฟ้า - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr	20 µA @ 1200 V
ความจุไฟฟ้า @ Vr, F	635pF @ 1V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-252 (DPAK)
อุณหภูมิในการทำงาน - จังก์ชัน	-55°C ~ 175°C

GP2D010A120C