Name: S1M1000170J
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S1M1000170JTR-ND
Price: 162.3 THB
Availability: OutOfStock

ผลิตภัณฑ์ใหม่

N-ช่องสัญญาณ 1700 V 5.8A (Tc) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

S1M1000170J
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	1655-S1M1000170JTR-ND - เทปและม้วน (TR) 1655-S1M1000170JCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 1655-S1M1000170JDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	SMC Diode Solutions
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	S1M1000170J
คำอธิบาย	MOSFETS SILICON CARBIDES 1700V 1
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1700 V 5.8A (Tc) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263-7
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	SMC Diode Solutions
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	SiCFET (ซิลิกอนคาร์ไบด์)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	1700 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	5.8A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	20V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 500µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	10 nC @ 20 V
Vgs (สูงสุด)	+20V, -5V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	160 pF @ 1000 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	100W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263-7
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-8, D2PAK (7 ตัวนำ + แท็บ), TO-263CA