Name: STB12NM50T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB12NM50T4TR-ND
Price: 190.1 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 550 V 12A (Tc) 160W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

STB12NM50T4
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-STB12NM50T4TR-ND - เทปและม้วน (TR) 497-STB12NM50T4CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 497-STB12NM50T4DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STB12NM50T4
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 550 V 12A (Tc) 160W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STB12NM50T4 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 50µA
Mfr STMicroelectronics	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 39 nC @ 10 V
ชุด MDmesh™	Vgs (สูงสุด) ±30V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1000 pF @ 25 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 160W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -65°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 550 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ D2PAK
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 12A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน STB12N
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 350mOhm @ 6A, 10V

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ผลิตภัณฑ์ทดแทน (3)

หมายเลขผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	จำนวนที่มีอยู่	หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	ราคาต่อหน่วย	ประเภทสินค้าทดแทน
IXFA16N50P	IXYS	0	IXFA16N50P-ND	฿107.41320	Similar
IXTA16N50P	IXYS	0	IXTA16N50P-ND	฿101.44830	Similar
R6012JNJGTL	Rohm Semiconductor	1,259	R6012JNJGTLCT-ND	฿152.92000	Similar