Name: STB24N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-15423-2-ND
Price: 129.32 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

STB24N60DM2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-15423-2-ND - เทปและม้วน (TR) 497-15423-1-ND - เทปตัดขาย (CT) 497-15423-6-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STB24N60DM2
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) ติดบนพื้นผิว TO-263 (D2PAK)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STB24N60DM2 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
ชุด	FDmesh™ II Plus
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	18A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	200mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±25V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1055 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-263 (D2PAK)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	STB24