Name: STB35N65DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-18244-2-ND
Price: 189.78 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

STB35N65DM2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-18244-2-ND - เทปและม้วน (TR) 497-18244-1-ND - เทปตัดขาย (CT) 497-18244-6-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STB35N65DM2
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 650 V 28A (Tc) 210W (Tc) ติดบนพื้นผิว D2PAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STB35N65DM2 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 5V @ 250µA
Mfr STMicroelectronics	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 54 nC @ 10 V
ชุด MDmesh™ M2	Vgs (สูงสุด) ±25V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2400 pF @ 100 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 210W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 650 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ D2PAK
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 28A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน STB35
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 110mOhm @ 14A, 10V