STF8N60DM2 STMicroelectronics | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

STF8N60DM2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	STF8N60DM2-ND
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STF8N60DM2
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 600 V 8A (Tc) 25W (Tc) ทรูโฮล TO-220FPAB
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STF8N60DM2 รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
ชุด	MDmesh™ DM2
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	600 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	8A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	600mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	13.5 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±25V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	449 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220FPAB
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3 ชุดเต็ม
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	STF8