Name: STGSH80HB65DAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STGSH80HB65DAG-ND
Price: 665.35 THB
Availability: InStock

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

STGSH80HB65DAG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-STGSH80HB65DAG-ND
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STGSH80HB65DAG
คำอธิบาย	IGBT MOD 650V 83A 9-ACEPACK SMIT
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	15 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	โมดูล igbt ฮาฟบริดจ์ 650 V 83 A 250 W ติดบนพื้นผิว 9-ACEPACK SMIT
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STGSH80HB65DAG รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT IGBT โมดูล	Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 80A
ผู้ผลิต STMicroelectronics	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Cies) @ Vce 10450 pF @ 25 V
ชุด HB	อินพุต มาตรฐาน
บรรจุภัณฑ์ จำนวนมาก	NTC เทอร์มิสเตอร์ ไม่
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
การตั้งค่า ฮาฟบริดจ์	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
แรงดันไฟฟ้า - พังทลายระหว่างอิมิเตอร์และคอลเลคเตอร์ (สูงสุด) 650 V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 9-PowerSMD
กระแสไฟฟ้า - คอลเลคเตอร์ (Ic) (สูงสุด) 83 A	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 9-ACEPACK SMIT
พลังงาน - สูงสุด 250 W

รายงานข้อมูลสินค้าผิดพลาด

เอกสารและสื่อ

การจำแนกประเภทสิ่งแวดล้อมและการส่งออก

แหล่งข้อมูลเพิ่มเติม

ในสต็อก: 179

ตรวจสอบสินค้าที่กำลังจะเข้าคลังเพิ่มเติม

จำนวน

ราคาทั้งหมดแสดงเป็นสกุลเงิน THB

จำนวนมาก

แพ็กเกจมาตรฐานผู้ผลิต

STGSH80HB65DAG