Name: STH145N8F7-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-16315-2-ND
Price: 137.08 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 90A (Tc) 200W (Tc) ติดบนพื้นผิว H2PAK-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

STH145N8F7-2AG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-16315-2-ND - เทปและม้วน (TR) 497-16315-1-ND - เทปตัดขาย (CT) 497-16315-6-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STH145N8F7-2AG
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	21 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 90A (Tc) 200W (Tc) ติดบนพื้นผิว H2PAK-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STH145N8F7-2AG รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
ชุด	STripFET™ F7
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	90A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.5V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	96 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	6340 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	200W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	H2PAK-2
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	STH145