Name: STH150N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14979-2-ND
Price: 139.99 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) ติดบนพื้นผิว H2PAK-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

STH150N10F7-2
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-14979-2-ND - เทปและม้วน (TR) 497-14979-1-ND - เทปตัดขาย (CT) 497-14979-6-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STH150N10F7-2
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	14 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) ติดบนพื้นผิว H2PAK-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STH150N10F7-2 รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4.5V @ 250µA
Mfr STMicroelectronics	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 117 nC @ 10 V
ชุด DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 8115 pF @ 50 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 250W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ H2PAK-2
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 110A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน STH150
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 55A, 10V