Name: STH2N120K5-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH2N120K5-2AGTR-ND
Price: 180.72 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 1200 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) ติดบนพื้นผิว H2PAK-2

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

STH2N120K5-2AG
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	497-STH2N120K5-2AGTR-ND - เทปและม้วน (TR) 497-STH2N120K5-2AGCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 497-STH2N120K5-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	STMicroelectronics
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	STH2N120K5-2AG
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	18 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 1200 V 1.5A (Tc) 60W (Tc) ติดบนพื้นผิว H2PAK-2
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	STH2N120K5-2AG รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 5.3 nC @ 10 V
Mfr STMicroelectronics	Vgs (สูงสุด) ±30V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 124 pF @ 100 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 60W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	เกรด รถยนต์
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 1200 V	คุณสมบัติ AEC-Q101
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 10V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ H2PAK-2
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 10Ohm @ 500mA, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-263-3, D2PAK (2 ตัวนำ + แท็บ), TO-263AB
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 4V @ 100µA	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน STH2N120