CSD18510Q5B หมดสต็อกและสามารถสั่งจองได้

ผลิตภัณฑ์ทดแทนที่มีอยู่:

เทียบเท่าพาราเมตริก

CSD18510Q5BT

Texas Instruments

มีอยู่ในสต็อค: 375

ราคาต่อหน่วย : ฿136.50000

เอกสารข้อมูล

Similar

BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

มีอยู่ในสต็อค: 13,559

ราคาต่อหน่วย : ฿65.33000

เอกสารข้อมูล

Similar

PJQ5442_R2_00001

Panjit International Inc.

มีอยู่ในสต็อค: 2,000

ราคาต่อหน่วย : ฿36.40000

เอกสารข้อมูล

ดูและเปรียบเทียบผลิตภัณฑ์ทดแทนทั้งหมด

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

CSD18510Q5B
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	296-48514-2-ND - เทปและม้วน (TR) 296-48514-1-ND - เทปตัดขาย (CT) 296-48514-6-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Texas Instruments
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	CSD18510Q5B
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 300A (Tc) 156W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-VSON-CLIP (5x6)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	CSD18510Q5B รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Texas Instruments
ชุด	NexFET™
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	40 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	300A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	0.96mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.3V @ 250µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	153 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	11400 pF @ 20 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	156W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	-55°C ~ 150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-VSON-CLIP (5x6)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	CSD18510