SSM3J114TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage | ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน

SSM3J114TU(TE85L)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	SSM3J114TU(TE85L)TR-ND - เทปและม้วน (TR) SSM3J114TU(TE85L)CT-ND - เทปตัดขาย (CT)
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SSM3J114TU(TE85L)
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) ติดบนพื้นผิว UFM
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	SSM3J114TU(TE85L) รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT)
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	P-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	1.8A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	1.5V, 4V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	149mOhm @ 600mA, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	7.7 nC @ 4 V
Vgs (สูงสุด)	±8V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	331 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	UFM
บรรจุภัณฑ์ / เคส	3-SMD, ตัวนำแบน
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	SSM3J114