Name: SSM3K16FV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3K16FVL3FTR-ND
Price: 6.47 THB
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์
กลับ
ผู้ผลิต
กลับ
แหล่งข้อมูล
กลับ
กลับ
กลับ
- โปรแกรมและการบริการ
- ระบบอัตโนมัติและการควบคุม
- บริการออกแบบและบูรณาการ
- โซลูชั่นดิจิทัล
- โซลูชัน IoT
- การติดตามสินค้า
- บริการผลิตภัณฑ์
กลับ
- การซื้อ
- เครื่องมือ
- My Lists
- ใบเสนอราคา
- ผลิตภัณฑ์
- ผู้ผลิต
ขอใบเสนอราคา

SSM3K16FV,L3F
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-SSM3K16FVL3FTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-SSM3K16FVL3FCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-SSM3K16FVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	SSM3K16FV,L3F
คำอธิบาย	PB-F VESM S-MOS (LF) TRANSISTOR
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 20 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) ติดบนพื้นผิว VESM
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	20 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	1.5V, 4V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	1.1V @ 100µA
Vgs (สูงสุด)	±10V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	9.3 pF @ 3 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	150mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	VESM
บรรจุภัณฑ์ / เคส	SOT-723

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
1	฿6.47000	฿6.47
10	฿4.04100	฿40.41
100	฿2.50230	฿250.23
500	฿1.82406	฿912.03
1,000	฿1.60357	฿1,603.57
2,000	฿1.41751	฿2,835.02

จำนวน	ราคาต่อหน่วย	ต่อราคา
8,000	฿1.12791	฿9,023.28
16,000	฿1.01633	฿16,261.28
24,000	฿0.95942	฿23,026.08
40,000	฿0.89543	฿35,817.20
56,000	฿0.85752	฿48,021.12
80,000	฿0.82065	฿65,652.00

SSM3K16FV,L3F

ข้อมูล

ช่วยเหลือ

ติดต่อเรา

ติดตามเรา