Name: TJ15S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ15S06M3L(T6L1,NQTR-ND
Price: 64.98 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 60 V 15A (Ta) 41W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TJ15S06M3L(T6L1,NQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TJ15S06M3L(T6L1,NQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TJ15S06M3L(T6L1,NQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TJ15S06M3L(T6L1,NQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TJ15S06M3L(T6L1,NQ
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 60 V 15A (Ta) 41W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TJ15S06M3L(T6L1,NQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 3V @ 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 36 nC @ 10 V
ชุด U-MOSVI	Vgs (สูงสุด) +10V, -20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1770 pF @ 10 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 41W (Tc)
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DPAK+
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 15A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 6V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน TJ15S06
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.5A, 10V