Name: TJ90S04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ90S04M3LLXHQTR-ND
Price: 80.83 THB
Availability: InStock

P-ช่องสัญญาณ 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TJ90S04M3L,LXHQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TJ90S04M3LLXHQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TJ90S04M3LLXHQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TJ90S04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TJ90S04M3L,LXHQ
คำอธิบาย	MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	32 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	P-ช่องสัญญาณ 40 V 90A (Ta) 180W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TJ90S04M3L,LXHQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 172 nC @ 10 V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (สูงสุด) +10V, -20V
ชุด U-MOSVI	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 7700 pF @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 180W (Tc)
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C
ประเภท FET P-ช่องสัญญาณ	เกรด รถยนต์
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	คุณสมบัติ AEC-Q101
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 90A (Ta)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DPAK+
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 45A, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน TJ90S04
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2V @ 1mA