Name: TK13P25D,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK13P25D,RQTR-ND
Price: 53.67 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 250 V 13A (Ta) 96W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TK13P25D,RQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TK13P25D,RQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TK13P25D,RQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TK13P25D,RQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TK13P25D,RQ
คำอธิบาย	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 250 V 13A (Ta) 96W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	-
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	250 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	13A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	1100 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	96W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63