TK18E10K3,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage | FET เดี่ยว, MOSFET

TK18E10K3,S1X(S
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TK18E10K3S1X(S-ND
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TK18E10K3,S1X(S
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 18A TO220-3
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 18A (Ta) ทรูโฮล TO-220-3
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TK18E10K3,S1X(S รุ่น

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	U-MOSIV
บรรจุภัณฑ์	ท่อ
สถานะผลิตภัณฑ์	เลิกผลิต
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	42mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	-
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	33 nC @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	-
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ทรูโฮล
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	TO-220-3
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-220-3
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TK18E10

TK18E10K3,S1X(S