Name: TK33S10N1Z,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK33S10N1ZLQTR-ND
Price: 78.56 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TK33S10N1Z,LQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TK33S10N1ZLQTR-ND - เทปและม้วน (TR) TK33S10N1ZLQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) TK33S10N1ZLQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TK33S10N1Z,LQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TK33S10N1Z,LQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	U-MOSVIII-H
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	100 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	33A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	9.7mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 500µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	2050 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C (TJ)
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK+
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TK33S10