Name: TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R4P06PLRQTR-ND
Price: 81.38 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TK4R4P06PL,RQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TK4R4P06PLRQTR-ND - เทปและม้วน (TR) TK4R4P06PLRQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) TK4R4P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TK4R4P06PL,RQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TK4R4P06PL,RQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 500µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 48.2 nC @ 10 V
ชุด U-MOSIX-H	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3280 pF @ 30 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 87W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ DPAK
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 58A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน TK4R4P06
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 29A, 10V