Name: TK6P53D(T6RSS-Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK6P53D(T6RSS-Q)TR-ND
Price: 79.86 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 525 V 6A (Ta) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TK6P53D(T6RSS-Q)
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TK6P53D(T6RSS-Q)TR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TK6P53D(T6RSS-Q)CT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TK6P53D(T6RSS-Q)DKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TK6P53D(T6RSS-Q)
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	12 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 525 V 6A (Ta) 100W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TK6P53D(T6RSS-Q) รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	π-MOSVII
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	525 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	6A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4.4V @ 1mA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±30V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	600 pF @ 25 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	100W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TK6P53