Name: TK90S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK90S06N1LLXHQTR-ND
Price: 77.92 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 90A (Ta) 157W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TK90S06N1L,LXHQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TK90S06N1LLXHQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TK90S06N1LLXHQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TK90S06N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TK90S06N1L,LXHQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	74 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 90A (Ta) 157W (Tc) ติดบนพื้นผิว DPAK+
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TK90S06N1L,LXHQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	U-MOSVIII-H
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	60 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	90A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	4.5V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	2.5V @ 500µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5400 pF @ 10 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	157W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C
เกรด	รถยนต์
คุณสมบัติ	AEC-Q101
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	DPAK+
บรรจุภัณฑ์ / เคส	TO-252-3, DPAK (2 ตัวนำ + แท็บ), SC-63
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TK90S06