Name: TPH4R008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH4R008QM,LQTR-ND
Price: 64.98 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 80 V 86A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP แอดวานซ์ (5x5.75)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPH4R008QM,LQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TPH4R008QM,LQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TPH4R008QM,LQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TPH4R008QM,LQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPH4R008QM,LQ
คำอธิบาย	POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 80 V 86A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP แอดวานซ์ (5x5.75)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TPH4R008QM,LQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	U-MOSIX-H
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	80 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	86A (Tc)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	6V, 10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	4mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	3.5V @ 600µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	5300 pF @ 40 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	960mW (Ta), 170W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	175°C
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-SOP แอดวานซ์ (5x5.75)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerTDFN