Name: TPHR9003NL1,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPHR9003NL1LQTR-ND
Price: 79.86 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP แอดวานซ์ (5x5.75)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPHR9003NL1,LQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TPHR9003NL1LQTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TPHR9003NL1LQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TPHR9003NL1LQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPHR9003NL1,LQ
คำอธิบาย	UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 170W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-SOP แอดวานซ์ (5x5.75)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 0.9mOhm @ 50A, 10V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.3V @ 1mA
ชุด U-MOSVIII-H	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 74 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 6900 pF @ 15 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 800mW (Ta), 170W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 30 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 150A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-SOP แอดวานซ์ (5x5.75)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerTDFN