Name: TPN11006NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN11006NLLQTR-ND
Price: 50.45 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPN11006NL,LQ
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TPN11006NLLQTR-ND - เทปและม้วน (TR) TPN11006NLLQCT-ND - เทปตัดขาย (CT) TPN11006NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPN11006NL,LQ
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TPN11006NL,LQ รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 200µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 23 nC @ 10 V
ชุด U-MOSVIII-H	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 2000 pF @ 30 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 700mW (Ta), 30W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (TJ)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 60 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 17A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน TPN11006
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 8.5A, 10V