Name: TPN1200APL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN1200APLL1QTR-ND
Price: 42.97 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPN1200APL,L1Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	264-TPN1200APLL1QTR-ND - เทปและม้วน (TR) 264-TPN1200APLL1QCT-ND - เทปตัดขาย (CT) 264-TPN1200APLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPN1200APL,L1Q
คำอธิบาย	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	24 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 100 V 40A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 11.5mOhm @ 20A, 10V
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.5V @ 300µA
ชุด U-MOSIX-H	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 24 nC @ 10 V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	Vgs (สูงสุด) ±20V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1855 pF @ 50 V
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 630mW (Ta), 104W (Tc)
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 100 V	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 40A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN