Name: TPN2010FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2010FNHL1QTR-ND
Price: 78.56 THB
Availability: OutOfStock

N-ช่องสัญญาณ 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPN2010FNH,L1Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TPN2010FNHL1QTR-ND - เทปและม้วน (TR) TPN2010FNHL1QCT-ND - เทปตัดขาย (CT) TPN2010FNHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPN2010FNH,L1Q
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 250 V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TPN2010FNH,L1Q รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ประเภท	คำอธิบาย	เลือกทั้งหมด
หมวดหมู่	ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
ชุด	U-MOSVIII-H
บรรจุภัณฑ์	เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®
สถานะผลิตภัณฑ์	ทำงาน
ประเภท FET	N-ช่องสัญญาณ
เทคโนโลยี	MOSFET (ออกไซด์โลหะ)
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss)	250 V
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C	5.6A (Ta)
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด)	10V
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs	198mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id	4V @ 200µA
เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (สูงสุด)	±20V
ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds	600 pF @ 100 V
คุณสมบัติของ FET	-
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด)	700mW (Ta), 39W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน	150°C (TJ)
เกรด	-
คุณสมบัติ	-
ประเภทการติดตั้ง	ติดบนพื้นผิว
บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์	8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
บรรจุภัณฑ์ / เคส	8-PowerVDFN
หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน	TPN2010