Name: TPN2R304PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN2R304PLL1QTR-ND
Price: 46.56 THB
Availability: InStock

N-ช่องสัญญาณ 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)

ภาพที่ปรากฏเป็นเพียงภาพตัวอย่างเท่านั้น ควรขอข้อมูลจำเพาะที่แน่นอนจากเอกสารข้อมูลผลิตภัณฑ์

TPN2R304PL,L1Q
หมายเลขผลิตภัณฑ์ DigiKey	TPN2R304PLL1QTR-ND - เทปและม้วน (TR) TPN2R304PLL1QCT-ND - เทปตัดขาย (CT) TPN2R304PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
ผู้ผลิต	Toshiba Semiconductor and Storage
หมายเลขผลิตภัณฑ์จากผู้ผลิต	TPN2R304PL,L1Q
คำอธิบาย	MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
ระยะเวลาจัดส่งมาตรฐานของผู้ผลิต	16 สัปดาห์
การอ้างอิงของลูกค้า
คำอธิบายโดยละเอียด	N-ช่องสัญญาณ 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) ติดบนพื้นผิว 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
เอกสารข้อมูล	เอกสารข้อมูล
โมเดล EDA/CAD	TPN2R304PL,L1Q รุ่น

คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

กรองผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกัน

แสดงแอตทริบิวต์ที่ว่างเปล่า

หมวดหมู่ ผลิตภัณฑ์สารกึ่งตัวนำแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFET FET เดี่ยว, MOSFET	Vgs (th) (สูงสุด) @ Id 2.4V @ 300µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	เกทชาร์จ (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 41 nC @ 10 V
ชุด U-MOSIX-H	Vgs (สูงสุด) ±20V
บรรจุภัณฑ์ เทปและม้วน (TR) เทปตัดขาย (CT) Digi-Reel®	ความจุไฟฟ้าอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3600 pF @ 20 V
สถานะผลิตภัณฑ์ ทำงาน	กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) 630mW (Ta), 104W (Tc)
ประเภท FET N-ช่องสัญญาณ	อุณหภูมิในการทำงาน 175°C
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์โลหะ)	ประเภทการติดตั้ง ติดบนพื้นผิว
เดรนสู่แหล่งจ่ายแรงดันไฟฟ้า (Vdss) 40 V	บรรจุภัณฑ์ผู้จำหน่ายอุปกรณ์ 8-TSON แอดวานซ์ (3.1x3.1)
กระแสไฟฟ้า - เดรนอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 80A (Tc)	บรรจุภัณฑ์ / เคส 8-PowerVDFN
ขับแรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds เปิด, ต่ำสุด Rds เปิด) 4.5V, 10V	หมายเลขผลิตภัณฑ์พื้นฐาน TPN2R304
Rds เปิด (สูงสุด) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 40A, 10V